[实用新型]K波段PIN高隔离SPDT开关有效
申请号: | 202022697314.5 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN213366760U | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 张海;彭皞;万超云;成颖 | 申请(专利权)人: | 成都创吉科技有限责任公司 |
主分类号: | H01P1/15 | 分类号: | H01P1/15 |
代理公司: | 成都瑞创华盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51270 | 代理人: | 辜强 |
地址: | 610041 四川省成都市成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供一种K波段PIN高隔离SPDT开关,该开关包括一个输入端和两个输出端,输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构;输入端与一个输出端之间串联有两个电容,两个电容之间搭接着五个二极管的正极端,每个二极管的负极端接地,该输出端搭接有电感,电感的另一端连接第三个电容后接地。K波段PIN高隔离SPDT开关具有体积小、损耗小、隔离高等特点。 | ||
搜索关键词: | 波段 pin 隔离 spdt 开关 | ||
【主权项】:
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