[实用新型]磁件结构有效
| 申请号： | 202022755816.9 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN213815762U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杜帅林;王昆鹏;董慨;王磊文;洪添丁 | 申请（专利权）人： | 台达电子企业管理（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24;H01F27/34 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 樊春燕 |
| 地址： | 201209 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种磁件结构。所述磁件结构包括：底座、第一磁盖以及第二磁盖。底座设有第一边柱、第一中柱以及一个或多个第二中柱。第一边柱和第一中柱沿第一方向间隔设置，第一中柱和第二中柱沿第二方向间隔设置。第一方向与第二方向垂直设置。第二磁盖沿第二方向与第一磁盖紧邻设置。第一磁盖对应于第一边柱和第一中柱，第一磁盖、第一边柱、第一中柱和底座形成一电感磁芯。第二磁盖对应于第二中柱，第二磁盖、第二中柱和底座形成一变压器磁芯。本申请采用上述结构，可使得电感磁芯和变压器磁芯共用同一底座，但不共用同一磁盖，防止电感元件和变压器之间发生磁耦合，更优化地设计磁件结构，且易于控制电感磁芯和变压器磁芯各自的气隙参数。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
【主权项】：
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