[实用新型]半导体设备离子植入装置法兰凸缘的打磨固定保护治具有效

专利信息
申请号: 202022774193.X 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN214265160U 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 杨炜;贺贤汉;周毅;蒋立峰 申请(专利权)人: 上海富乐德智能科技发展有限公司
主分类号: B24B41/06 分类号: B24B41/06
代理公司: 上海申浩律师事务所 31280 代理人: 赵建敏
地址: 200444 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了半导体设备离子植入装置法兰凸缘的打磨固定保护治具,所述保护治具为三台阶式盆状,三台阶式盆状治具包括中间的治具圆柱,底部的治具底,顶部的治具水平边沿以及位于治具水平边沿外边缘处的治具竖向边沿;所述治具底形成第一阶台阶面,所述治具圆柱内表面中间部位朝向外侧凹陷形成有第二阶台阶面,所述治具水平边沿形成第三阶台阶面;所述治具底上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔;所述治具圆柱底端开设有漏水孔;所述治具水平边沿外边缘处开设有漏水槽;可以重复利用,可在气动打磨工具的辅助下更好的提高生产效率,具有使用方便,精度高,可重复使用及节省人力及物料成本的特点。
搜索关键词: 半导体设备 离子 植入 装置 法兰 凸缘 打磨 固定 保护
【主权项】:
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