[实用新型]一种抗电磁干扰抗浪涌碳化硅MPS器件有效
| 申请号： | 202022859031.6 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN213583807U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨帅;雒文瑜;曹安;张晓东;韩路彬;于博文;吴海洋;李昊宇;牛玉强 | 申请（专利权）人： | 石家庄铁道大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 姬莉 |
| 地址： | 050043 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗电磁干扰抗浪涌碳化硅MPS器件。其N+离子注入区位于阴极二区与其两侧的各N‑外延层的表面之间；阳极一区和阳极二区位于阴极二区两侧；一次P+离子注入区位于一次N‑外延层的上表面，阳极一区最边缘的一次P+离子注入区位于一次N‑外延层，二次N‑外延层以及阳极一区三者交汇处；阳极二区最边缘的一次P+离子注入区位于一次N‑外延层，二次N‑外延层以及阳极二区三者交汇处；二次P+离子注入区和三次P+离子注入区分别位于二次N‑外延层和三次N‑外延层上表面，阴极二区两侧的二次P+离子注入区和三次P+离子注入区与阳极一区或阳极二区相邻。本实用新型的碳化硅MPS器件具有更大的导通电流，增强了器件的抗电磁干扰能力和抗浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 干扰 浪涌 碳化硅 mps 器件 | ||
【主权项】：
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