[实用新型]一种等离子体退火设备有效
| 申请号： | 202022876090.4 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN213483721U | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊 | 申请（专利权）人： | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;C30B29/06;C30B33/02;C30B33/04 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 255025 山东省淄博市高新区中*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种等离子体退火设备，包括真空腔室和退火腔室，所述真空腔室位于退火腔室上方，且所述真空腔室与退火腔室之间连通有连通口，所述真空腔室连通有进气管，所述真空腔室内设置有等离子源，所述等离子源位于进气管在真空腔室侧壁上的管口的下侧，且所述真空腔室内还设置有磁场过滤组件，所述退火腔室内设置有用于放置硅片的基台，所述基台上设置有下部电极，且所述基台位于连接口的正下方，且所述退火腔室上还设置有温度调节装置以及压力调节组件。实现在低温条件下对放置在基台上的硅片栅氧化层进行退火处理，减少了栅氧化层中的缺陷，进而有助于提高退火效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 退火 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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