[实用新型]一种低残压低容值的ESD器件

摘要

本实用新型公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种低残压低容值的ESD器件，包括N衬底、埋层和P‑外延，所述N衬底背面设有背面金属层，所述P‑外延顶部形成第一低容二极管、第二低容二极管、SCR管和穿通型钳位TVS管，所述第一低容二极管的阳极与SCR管的阴极电性连接，所述第一低容二极管的阴极与所述第二低容二极管的阴极电性连接形成第一端口IO1，所述SCR管的阳极与所述穿通型钳位TVS管的阴极电性连接形成第二端口IO2，本实用新型有益效果是：通过第一Nwell层、外延P区和衬底形成的NPN结构实现IO‑GND之间的穿通击穿，从而实现了2.5V、3.3V击穿特性，有效解决原有低容产品残压偏高问题。