[实用新型]一种低残压、大浪涌电流保护器件有效
申请号: | 202022937333.0 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN213401203U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 张关保;李炘 | 申请(专利权)人: | 西安迈驰半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/861 |
代理公司: | 西安赛博睿纳专利代理事务所(普通合伙) 61236 | 代理人: | 张鹏 |
地址: | 710000 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低残压、大浪涌电流保护器件,具体涉及半导体元器件技术领域,其技术方案是:包括保护器件、纵向结构TVS一、纵向结构TVS二和横向结构TVS三,所述保护器件是由所述纵向结构TVS一、所述纵向结构TVS二和所述横向结构TVS三通过串联组成,所述纵向结构TVS一与所述横向结构TVS三的引出端设置为IO一,所述纵向结构TVS一与所述纵向结构TVS二的引出端设置为GND,所述纵向结构TVS二与所述横向结构TVS三的引出端设置为IO二,本实用新型的有益效果是:实现了纵向结构与横向结构的集成,利用横向管的骤回特性提高了器件的钳位特性,纵向高浪涌能力改善了横向器件的低浪涌能力问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 低残压 浪涌 电流 保护 器件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的