[实用新型]硅外延基座结构及外延炉有效
| 申请号： | 202022939515.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN213459698U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴会旺;薛宏伟;郝东波;高国智;侯志义 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅外延基座结构及外延炉，涉及外延炉设备技术领域，包括基座，基座上设有用于容纳衬底的片坑，片坑内设有若干个用于向外周导送气体的排气槽，排气槽的外端延伸至片坑的外周边缘，排气槽的内端与片坑的轴线之间间隔设置。本实用新型提供的硅外延基座结构，在基座的片坑底部设置了若干个排气槽，放入衬底时能够在衬底和片坑间形成用于排出气流的导送通道，避免了衬底与片坑底面之间存在气体造成二者之间的相对滑动；排气槽的设置还增加了片坑表面的粗糙度，进一步降低了衬底在片坑内的滑动，提高了片坑内部温区分布的均匀性，提升了片内厚度和电阻率的一致性，改善了由于片内温度差导致的滑移线问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 基座 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
