[实用新型]IGBT模块功率端子结构有效

专利信息
申请号: 202022958510.3 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN213660391U 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 温世达;高远;曹新明 申请(专利权)人: 安徽瑞迪微电子有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L29/739
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 朱顺利
地址: 241002 安徽省芜湖市弋江区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种IGBT模块功率端子结构,包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层,N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面,P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面,第一接触面从第一绝缘材料层中露出,第二接触面从第二绝缘材料层中露出。本实用新型的IGBT模块功率端子结构,极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积,因此也降低了回路的杂散电感。
搜索关键词: igbt 模块 功率 端子 结构
【主权项】:
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