[实用新型]IGBT模块功率端子结构有效
申请号: | 202022958510.3 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN213660391U | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 温世达;高远;曹新明 | 申请(专利权)人: | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L29/739 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 朱顺利 |
地址: | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种IGBT模块功率端子结构,包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层,N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面,P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面,第一接触面从第一绝缘材料层中露出,第二接触面从第二绝缘材料层中露出。本实用新型的IGBT模块功率端子结构,极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积,因此也降低了回路的杂散电感。 | ||
搜索关键词: | igbt 模块 功率 端子 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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