[实用新型]一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构有效
| 申请号： | 202023084032.4 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN214099629U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市旭昌辉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 孙凯乐 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构，包括钝化层、金属镀层以及聚酰亚胺复合膜，金属镀层设置在钝化层上，聚酰亚胺复合膜的一部分设置在钝化层上，聚酰亚胺复合膜的另一部分设置在金属镀层上，以抑制金属镀层与钝化层的结合处电荷迁移。从而实现了在金属镀层与钝化层的结合处不会轻易发生漏电的现象。与传统的相比，本实用新型的平面肖特基芯片的复合型钝化结构不会出现在芯片经过封装后漏电流增加的现象和封装成品经过可靠性试验后漏电流增加的现象的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 肖特基 芯片 复合型 钝化 结构 | ||
【主权项】：
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