[实用新型]一种半导体器件的衬底结构有效
| 申请号： | 202023142361.X | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN213878718U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/062 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件的衬底结构，涉及半导体技术领域，包括：衬底层，在衬底层同层设置第一离子注入区和第二离子注入区，第一离子注入区和第二离子注入区分别为电流阻挡区，衬底层在第一离子注入区和第二离子注入区之间的部分为通道区，第一离子注入区、第二离子注入区与通道区的顶面位于同一平面，平面与衬底层的底面平行。利用第一离子注入区和第二离子注入区也可以对电流的扩散起到控制作用。进而提高器件的电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 衬底 结构 | ||
【主权项】：
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