[实用新型]真空室有效
申请号: | 202023146950.5 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN214168122U | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 黄章华 | 申请(专利权)人: | 乐金显示光电科技(中国)有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 510530 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及等离子体增强化学气相沉积技术领域,具体公开一种真空室,包括上部电极、真空室壁、气体扩散器、固定装置和绝缘块,上部电极、固定装置和气体扩散器设置在真空室壁的内侧,上部电极、固定装置和气体扩散器依次固定连接,绝缘块设置在固定装置、上部电极和真空室壁之间,绝缘块用于封堵上部电极和真空室壁之间的空隙,绝缘块由弹性绝缘材料制成,绝缘块上靠近固定装置的一端设置有避让部。本实用新型的真空室工作稳定,不良率低,可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 真空 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的