[实用新型]新型IGBT功率半导体器件有效
| 申请号： | 202023158363.8 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN214043672U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 刘松 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型IGBT功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，所述缓冲区设置于所述衬底上；基区，所述基区设置于所述缓冲区上；多个真栅极单元，多个所述真栅极单元设置于所述基区上，其中每个所述真栅极单元两侧分别设有假沟槽单元，并且每个所述真栅极单元的接触孔与相邻两侧的所述假沟槽单元的接触孔相连。本实用新型能够增加源区宽度，改善了工艺的一致性，提高器件的阈值电压等特性在圆片内的一致性和均匀性，从而解决了器件的可制造性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 igbt 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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