[实用新型]带铜柱体的3D围坝结构有效
| 申请号： | 202023209004.0 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN214336740U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 袁广;罗素扑;黄嘉铧 | 申请（专利权）人： | 惠州市芯瓷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01S5/02208;H01S5/0233 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 吴成开;徐勋夫 |
| 地址： | 516100 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种带铜柱体的3D围坝结构，包括有绝缘基板，该绝缘基板的上表面电镀形成有线路层，且绝缘基板的上表面电镀加厚形成有围坝、第一铜柱体和第二铜柱体，该围坝位于线路层的外围并围构形成一空腔，该第一铜柱体位于空腔中，且围坝的表面下凹形成有盲孔，该第二铜柱体位于盲孔中。通过设置第一铜柱体和第二铜柱体，其一体成型于围坝内，可为用户提供多接口的封装结构，实现三维立体封装，为使用带来便利。 | ||
| 搜索关键词： | 柱体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州市芯瓷半导体有限公司，未经惠州市芯瓷半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023209004.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种再生集料路基的道路
- 下一篇：一种皮带输送机托辊
