[实用新型]一种用于InP晶体生长的坩埚

摘要

本实用新型公开了一种用于InP晶体生长的坩埚，包括第一坩埚、坩埚帽和第二坩埚；第一坩埚为从上往下依次由第一体部、第一肩部和第一籽晶腔组成的开口向上的中空石英管；第二坩埚为从上往下依次由第二体部、第二肩部、缩颈腔和第二籽晶腔组成的上下两端均开口的中空PBN陶瓷坩埚；第二坩埚位于第一坩埚内侧，且第二体部位于第一体部内侧，第二肩部位于第一肩部内侧，缩颈腔和第二籽晶腔位于第一籽晶腔内侧；坩埚帽为半球形石英帽，坩埚帽外径不小于第二坩埚外径；坩埚帽开口向下地位于第一坩埚内，且位于第二坩埚的上方，坩埚帽与第二坩埚之间留有间隔。本实用新型大幅降低了InP晶体中的位错密度，提高了成晶率。