[实用新型]蚀刻治具及蚀刻装置有效
| 申请号： | 202023234952.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213988859U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张续朋;杨彦伟;刘宏亮 | 申请（专利权）人： | 芯思杰技术（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悦涵 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻治具及蚀刻装置。蚀刻装置包括蚀刻治具以及蚀刻机，蚀刻机包括蚀刻液缸以及喷嘴，蚀刻治具位于蚀刻液缸内，并能够在蚀刻液缸内旋转，喷嘴位于蚀刻治具的上方，且喷嘴用于喷洒蚀刻液，蚀刻治具包括治具本体，治具本体上开设有凹槽，凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域，且治具本体的边缘还形成有排液口。针对如InP/InGaAs这些材料脆弱的物理性能，当这些晶片因实验或人为损伤形成非标准晶片碎片时，该蚀刻治具也同样适用，只需将待刻蚀非标准晶片放置在凹槽内即可，旋转时的离心力和凹槽的侧壁对待蚀刻非标准晶片起到限位作用，且排液口可排出多余的蚀刻液，满足非标准晶片的蚀刻工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
