[实用新型]一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件有效
| 申请号： | 202023235581.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN213878101U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨超 | 申请（专利权）人： | 无锡惠芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人： | 张悦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件，包括多个沟槽MOS器件单胞重复排列并联构成；每个单胞结构包括：衬底；设置于衬底表面的外延层；设置于外延层内的沟槽；在沟槽的底部且位于外延层内的部分形成N型杂质的一次注入掺杂；设置于沟槽侧壁的栅沟槽氧化层；在栅沟槽氧化层内部填充有栅极多晶硅层；在栅沟槽氧化层周边形成有P型轻掺杂的阱层；设置于阱层上部且位于栅沟槽氧化层周边的N型重掺杂的源极区；设置于外延层表面的层间介质层；穿透层间介质层连接源极区的源极接触孔。本实用新型在保持同样击穿电压的情况下，既降低了栅源漏电流，又降低了15％的导通损耗，大大提高了产品的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 漏电 沟槽 mos 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡惠芯半导体有限公司，未经无锡惠芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023235581.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于空间规划环境保护污水快速检测装置
- 下一篇：一种高压池沸腾实验装置
- 同类专利
- 专利分类
