[实用新型]一种硅片退火用碳化硅舟有效
申请号: | 202023258026.6 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN213878049U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 高洪涛;叶绍凤;徐新华 | 申请(专利权)人: | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
地址: | 311201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种硅片退火用碳化硅舟,所属硅片退火加工设备技术领域,包括底板,所述的底板上端设有若干呈等间距环形分布且与底板相贯穿式插嵌固定的柱体,所述的柱体上端设有与底板相平行设置的顶板,所述的顶板与柱体相螺纹式插嵌连接固定,所述的底板下端设有若干呈等间距环形分布且与柱体相管路连通的进气管,所述的柱体内设有与进气管相连通的主气道,所述的主气道侧边设有若干呈等间距垂直分布的卡槽。具有结构紧凑简单、运行稳定性好和使用寿命长的特点。解决了硅片与碳化硅舟接触时产生金属污染的问题。提高硅片的性能稳定性和硅片的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 退火 碳化硅 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,未经杭州中欣晶圆半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202023258026.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:背光模组及显示装置
- 下一篇:一种用于空调的过滤网
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造