[实用新型]多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT有效
| 申请号： | 202023298447.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN213845279U | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 廖巍;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法，它包括它包括第二导电类型集电极、第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型柱、第二导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型发射极、绝缘介质层、发射极金属、屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅盖板、栅极氧化层与栅极导电多晶硅。本实用新型可调节器件的电场分布，实现在低的阈值下有更有效的饱和电流，提高开关速度，降低开关损耗，实现更加稳定的安全工作区域。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 外延 制作 屏蔽 结构 igbt | ||
【主权项】：
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