[实用新型]上下电测试系统有效
| 申请号： | 202023302887.X | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN214041597U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张有为;赵启山;陈光胜 | 申请（专利权）人： | 上海东软载波微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李耀霞;陆磊 |
| 地址： | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种上下电测试系统。该上下电测试系统包括：微控制单元，适于接收用于待测芯片上下电测试的电压策略并基于电压策略生成相应的控制信号；上下电控制电路，包括栅极驱动器和晶体管，栅极驱动器适于接收控制信号并基于控制信号生成相应的驱动信号，晶体管的栅极适于接收驱动信号并基于驱动信号导通或关闭晶体管，晶体管的漏极适于接收用于待测芯片上下电测试的测试电压，NMOS晶体管的源极通过电阻接地并在NMOS晶体管导通时具有测试电压以输出至待测芯片。通过该上下电测试系统，可以基于待测芯片的具体应用环境设定相应的电压策略，还可以保证待测芯片能够在预设的电压策略下进行上下电测试，尤其是进行快速上下电测试。 | ||
| 搜索关键词： | 上下 测试 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海东软载波微电子有限公司，未经上海东软载波微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023302887.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
