[实用新型]一种功率半导体芯片冷却装置有效
申请号: | 202023312018.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN215571557U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 周全;杨伟荣 | 申请(专利权)人: | 江苏丹翔可控硅科技有限公司 |
主分类号: | F25D31/00 | 分类号: | F25D31/00;F25D17/06;F25D25/02;H01L21/67 |
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地址: | 212300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种功率半导体芯片冷却装置,其包括:箱体,箱体的外部设有冷却水室,冷却水室设有进水口和出水口;设置在箱体内部上方的冷风扇;设置在箱体内壁上的多组移动滑轨;与移动滑轨相连的散热板,散热板上设有均匀排布的散热通孔,散热通孔的边缘设有功率半导体芯片卡槽。本实用新型通过在箱体的外部设置冷却水室,配合箱体内部的冷风扇,对箱体内散热板上的功率半导体芯片进行充分的冷却,同时在箱体内设置多组可以推拉移动的散热板,散热板上设有多组散热通孔和功率半导体芯片卡槽,方便功率半导体芯片的取放,使得功率半导体芯片冷却操作的效率得到了大大地提高。 | ||
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【主权项】:
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