[实用新型]高阻断电压的氮化镓PN二极管有效
| 申请号： | 202023320856.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213660418U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高阻断电压的氮化镓PN二极管,涉及氮化镓功率半导体器件。包括基板、过渡层、漂移层、有源区、漂移通道、场板和金属电极层；有源区第二半导体层、漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向结构氮化镓PN二极管或者仅有垂直漂移区的垂直结构氮化镓PN二极管，本案中的漂移区的路径总长度大于制作在相同基板及外延层尺寸的横向结构或者垂直结构氮化镓PN二极管中漂移区的路径长度，由此增大氮化镓PN二极管的阻断电压。本案具有提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成一种共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成化以及在功率集成电路中应用等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 阻断 电压 氮化 pn 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司，未经扬州扬杰电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023320856.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于滑雪服上的报警装置
- 下一篇：一种仿真装饰灯
- 同类专利
- 专利分类
