[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202023339628.4 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN214115777U | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 洪棋典;张洁;廖弘基 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括生长坩埚、套筒和坩埚顶盖。套筒设置于生长坩埚内，坩埚顶盖盖设于生长坩埚上，坩埚顶盖设置有碳化硅籽晶部，套筒的一端与生长坩埚的底壁抵持，另一端与碳化硅籽晶部配合，生长坩埚的底壁、套筒和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔，生长空腔用于供碳化硅单晶生长。与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了与生长坩埚的底壁和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔的套筒，所以能够避免气相碳化硅与生长坩埚和坩埚顶盖直接接触，防止杂质混入，保证碳化硅单晶的生长质量，并且能够延长生长坩埚和坩埚顶盖的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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