[实用新型]一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚及装置有效
| 申请号： | 202023349248.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN214300469U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张九阳;方帅;高宇晗;李霞;赵树春;高超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚及装置，坩埚的顶部外壁向内凹陷形成环形气槽，环形气槽的圆心与坩埚顶部的圆心重合；该装置包括任一项的坩埚，还包括炉体，坩埚置于炉体内；炉体由下至上分别设置有第一通气孔和第二通气孔，第一通气孔用于向炉体内通入惰性气体，第二通气孔用于向炉体内通入氮源气体。通过坩埚环形气槽的设置，使得气体可沿着环形气槽流动，气流流速较快，气体扩散到坩埚内部，使得坩埚内远离中心轴线热量传输加快，减少了坩埚径向温度梯度，通过炉体设置的第二通气孔，第二通气孔与环形气槽连通，加快了坩埚上部的散热，使得坩埚的轴向温度梯度增加，径向梯度温度降低，进一步提高了晶体生长的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 碳化硅 晶体 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
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