[实用新型]一种光器件射频柱焊接结构有效

专利信息
申请号: 202023349708.8 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN213782477U 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 柯健;付胜;郝鹏涛 申请(专利权)人: 武汉昱升光电股份有限公司
主分类号: H01S5/02315 分类号: H01S5/02315;H01S5/02345;H01S5/0237;H01S5/02212
代理公司: 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 代理人: 李鹏;王敏锋
地址: 430223 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种光器件射频柱连接结构,包括TO底座,还包括环形陶瓷基板,TO底座上设置有第一射频柱和第二射频柱,环形陶瓷基板上设置有第一镀条和第二镀条,第一镀条一端设置有第一焊接块,第一镀条另一端设置有LD负电极,第二镀条一端设置有第二焊接块,第二镀条另一端设置有LD正电极,LD负电极和LD正电极分别与LD芯片的负极和正极电性连接,第一射频柱和第二射频柱分别与第一焊接块和第二焊接块电性连接。本实用新型一方面更优改善LD芯片连接通道、更优降低阻抗,增强了金丝键合的可靠性;另一方面避免了LD芯片直接与射频柱电连接,以免TO底座外界温度变化快速传导至LD芯片上,影响LD芯片稳定性。
搜索关键词: 一种 器件 射频 焊接 结构
【主权项】:
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