[发明专利]双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法有效
| 申请号： | 202080000126.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111226317B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 卢峰;高晶;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种用于形成三维(3D)存储器件的方法。在一些实施例中，该方法包括：在衬底上形成交替介电堆叠体；以及形成多个沟道孔，多个沟道孔垂直地穿透交替介电堆叠体以暴露衬底的至少一部分。可以形成第一掩模以覆盖第一区域中的沟道孔并且暴露第二区域中的沟道孔。该方法还包括：在第二区域中的交替介电堆叠体中形成凹槽，然后在凹槽中形成第二掩模。第二掩模覆盖第二区域中的沟道孔并且暴露第一区域中的沟道孔。因此，能够去除在第一区域中的每个沟道孔底部的存储膜，而能够通过第二掩模保护第二区域中的存储膜。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 三维 nand 存储器 以及 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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