[发明专利]量子点发光器件及其制备方法、量子点显示面板的制备方法在审
申请号: | 202080000298.X | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN113692638A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 梅文海;张振琦;张爱迪;张晓远;王好伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王晓燕 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开的实施例提供一种量子点发光器件及其制备方法以及量子点显示面板的制备方法,该量子点发光器件的制备方法,包括:提供衬底基板(101);在衬底基板(101)上形成第一电极(102);在第一电极(102)上形成第一功能层(103);在第一功能层(103)上依次形成第一牺牲层(104)和第一光刻胶层(105);对第一光刻胶层(105)进行构图工艺形成第一光刻胶图案(1051);以第一光刻胶图案(1051)为掩膜对第一牺牲层(104)进行构图工艺以形成第一牺牲层图案(1041),其中,第一功能层(103)包括第一部分(1031)和第二部分(1032),第一部分(1031)上依次堆叠第一牺牲层图案(1041)和第一光刻胶图案(1051),第二部分(1032)被第一牺牲层图案(1041)和第一光刻胶图案(1051)露出;在第一光刻胶图案(1051)和第一功能层(103)的第二部分(1032)上形成第一量子点材料层(106);剥离第一牺牲层图案(1041)以去除第一牺牲层图案(1041)以及位于其上的第一光刻胶图案(1051)和第一量子点材料层(106),并保留位于第一功能层(103)的第二部分(1032)上的第一量子点材料层(106)以形成第一量子点发光层(106’);在第一量子点发光层(106’)上形成第二电极(108)。 | ||
搜索关键词: | 量子 发光 器件 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造