[发明专利]混合晶圆键合方法及其结构有效
| 申请号： | 202080000382.1 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111344835B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 严孟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种混合晶圆键合方法，包括：提供第一半导体结构以及提供第二半导体结构。第一半导体结构包括：第一衬底、第一电介质和第一通孔结构。第一通孔结构包括：第一接触通孔和在第一接触通孔中掺杂的第一金属杂质。第二半导体结构包括：第二衬底、第二电介质层和第二通孔结构。第二通孔结构包括：第二接触通孔和在第二接触通孔中掺杂的第二金属杂质。方法还包括：使第一半导体结构与第二半导体结构键合，以及通过合金化工艺来形成自阻隔层。自阻隔层是由与第一金属杂质和第二金属杂质相对应的多组分氧化物形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 晶圆键合 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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