[发明专利]无机发光二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202080000439.8 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113767480A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马俊杰;卢元达;杨山伟;岂林霞;熊志军;翟明;孙海威 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 胡萌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种无机发光二极管芯片母片，包括：外延层、多个衬垫和支撑加固层。其中，所述外延层的相对的两侧分别为第一侧和第二侧；多个衬垫设置于所述外延层的第一侧；所述支撑加固层填充于所述多个衬垫之间的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080000439.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：X射线平板探测器及其图像校正方法
- 下一篇：阵列基板和显示装置
