[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202080000993.6 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111771285A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含衬底(10)、安置于所述衬底(10)上的沟道层(12)，以及安置于所述沟道层(12)上的势垒层(14)。所述半导体装置另外包含安置于所述势垒层(14)上并且界定暴露所述势垒层(14)的一部分的第一凹部的介电层(16)。所述半导体装置另外包含安置于所述第一凹部内的第一间隔件(18a)，其中所述第一间隔件(18a)包括使所述介电层(16)横向连接到所述势垒层(14)的表面(14i)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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