[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202080001200.2 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111602248A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张安邦;黄敬源;李浩;郑浩宁;王剑 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维电子气体(2DEG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第二半导体材料层且不接触2DEG。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通道 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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