[发明专利]用于3D X-Point存储器的具有减小的编程电流和热串扰的新单元结构在审
| 申请号： | 202080001721.8 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112041997A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维存储架构包括存储单元的顶部单元阵列、存储单元的底部单元阵列、耦合到所述阵列的多条字线和位线。所述存储单元是相变存储器(PCM)单元，相变存储器(PCM)单元在纵向方向(X方向)和横向方向(Y方向)两者上的线/间隔图案化期间通过湿法或干法工艺被修改为在这两个方向上减小单元大小。更小的PCM单元尺寸和截面面积导致了对该单元编程所需的电流更小。相邻存储单元之间的更大距离导致了更少的热串扰。具有比选择器尺寸更小的PCM单元尺寸允许在电阻式切换存储元件中的电流选择器(又称为电流限制器或者电流导引元件)中的电流密度要求更小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 point 存储器 具有 减小 编程 电流 热串扰 单元 结构 | ||
【主权项】：
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