[发明专利]等离子体CVD装置和等离子体CVD法在审
| 申请号： | 202080002098.8 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111918982A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 小林忠正;座间秀昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;C23C16/509;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 尹洪波 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83℃以上180℃以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 cvd 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
