[发明专利]用于形成半导体器件中的片上电容器结构的方法有效
| 申请号： | 202080002240.9 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112219289B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B43/40;H10B43/27;H10B43/10;G11C5/10 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件以及用于形成半导体器件的方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成半导体器件的方法。在衬底的第一侧上形成第一层间电介质(ILD)层。形成多个第一触点，每个第一触点贯穿第一ILD层垂直地延伸并且与衬底接触。从与衬底的第一侧相对的第二侧对衬底进行减薄。形成多个电介质切口，每个电介质切口贯穿减薄的衬底垂直地延伸，以将减薄的衬底分隔成多个半导体块，使得多个半导体块分别与多个第一触点接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 中的 电容器 结构 方法 | ||
【主权项】：
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