[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202080002864.0 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112204752A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 邱汉钦 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含：衬底；第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层位于所述衬底上；以及第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层位于所述第一氮化物半导体层上。所述第二氮化物半导体层具有第一区域和第二区域，并且所述第二氮化物半导体层具有单晶体。所述半导体装置包含电极，所述电极与所述第一区域接触。所述第一区域的铝Al的第一浓度小于所述第二区域的Al的第二浓度，并且所述第一区域中的所述单晶体接替所述第一氮化物半导体层的晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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