[发明专利]用于3D交叉点存储器的具有减小的编程电流和热串扰的新型缩小单元结构和制造方法在审
申请号: | 202080002916.4 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112449726A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 杨锡劢;赵磊 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了系统、方法和设备,以通过存储单元的几何结构配置,通过蚀刻和其他方法,减小操作3D存储单元所需电流,在一个实施例中,通过在存储单元之间使用层合和间隙填料减小了热串扰,这继而产生更少的热量并且更好地隔离由单元产生的热,这继而允许存储单元更小尺度的制造。在单元结构和工艺流程中,通过在X和Y方向二者上的线/空间图案化期间进行湿法或干法工艺,以缩小的形状对PCM存储单元成形。结果,在存储单元柱的中间,编程电流密度最高,以仅在单元柱的中间诱发相变和熔化,从而保持远离顶部电极和底部电极,用于减小在相邻单元之间的串扰。 | ||
搜索关键词: | 用于 交叉点 存储器 具有 减小 编程 电流 热串扰 新型 缩小 单元 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的