[发明专利]一种微发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202080002983.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112204758B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李水清;杜伟华;赖昭序;邓和清 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明提出一种微LED外延结构，该外延结构至少包括N型层、发光层、P型层。其中发光层包括n个周期的量子阱结构，每一个周期的量子阱结构包括阱层和势垒层，其中n1个周期的量子阱结构定义为第一发光区，n2个周期的量子阱结构定义为第二发光区，n1和n2大于等于1，且n1+n2小于等于n，第一发光区比第二发光区更接近N型层，两组发光区势垒层材料的平均带隙满足以下条件：第一发光区小于第二发光区；两组发光区阱层材料的平均带隙满足以下条件：第一发光区大于等于第二发光区。利用该外延结构制备的微LED，可实现峰值光电转换效率对应电流密度低于1A/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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