[发明专利]具有支撑结构的三维存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202080003276.9 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112567517B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张中;韩玉辉;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种3D存储器件包括存储堆叠体和支撑结构。在衬底上的存储堆叠体包括核心区域和与核心区域相邻的非核心区域。支撑结构在非核心区域中延伸并且延伸到衬底中。支撑结构包括第一支撑部分和在第一支撑部分上方的第二支撑部分。第一支撑部分具有比第二支撑部分更高的刚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支撑 结构 三维 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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