[发明专利]三维存储器器件和用于形成其的方法有效
| 申请号： | 202080003791.7 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN113366638B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;周文犀;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器器件和用于形成其的方法。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器器件的方法。在衬底之上依次形成第一多晶硅层、电介质牺牲层、第二多晶硅层和电介质堆叠层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层、第二多晶硅层和电介质牺牲层并进入到第一多晶硅层中的沟道结构。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层和第二多晶硅层并垂直延伸进入到电介质牺牲层中或穿过电介质牺牲层以暴露电介质牺牲层的部分的开口，以及沿着开口的侧壁的部分的多晶硅间隔体。通过开口用利用第一和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层替换电介质牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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