[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202080004016.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112771677A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一氮化物型的半导体器件，包括衬底、缓冲体、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极及栅极电极。缓冲体设置在衬底上，并包括至少一层的氮化物半导体化合物，其位于缓冲体的最顶部。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极及栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极向下延伸至低于第一氮化物半导体层的位置，以与缓冲体的最顶部形成第一界面，且接触缓冲体的氮化物半导体化合物。栅极电极位在第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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