[发明专利]利用可调等离子体电势的可变模式等离子体腔室有效
申请号: | 202080004301.5 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112640027B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | S·E·萨瓦;马绍铭 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/248 | 分类号: | H01J37/248;H01J37/32 |
代理公司: | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔晓光 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了等离子体处理设备和相关方法。在一个示例中,等离子体处理设备可以包括被配置为能够保持等离子体的等离子体腔室。该等离子体处理设备可以包括形成该等离子体腔室的壁的至少一部分的介电窗。该等离子体处理设备可以包括位于该介电窗附近的感应耦合元件。该感应耦合元件可以被配置为当用射频(RF)能量供能时在该等离子体腔室中由该工艺气体产生等离子体。该等离子体处理设备可以包括具有被配置为支撑工件的工件支撑件的处理腔室。该等离子体处理设备可以包括位于该感应耦合元件与该介电窗之间的静电屏蔽体。该静电屏蔽体可以经由可调电抗阻抗电路接地到接地参考。 | ||
搜索关键词: | 利用 可调 等离子体 电势 可变 模式 等离子 体腔 | ||
【主权项】:
暂无信息
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