[发明专利]一种晶体生长方法和装置有效
| 申请号： | 202080004445.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112585304B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田;梁振兴;李敏 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 袁春晓 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了晶体生长方法及装置。所述晶体生长方法包括：将籽晶和目标源材料置于晶体生长装置的生长腔体中；基于所述籽晶和所述目标源材料，通过物理气相传输法生长晶体；在晶体生长过程中，判断是否满足预设条件；以及当满足预设条件时，将升华后的目标源材料替换为备选源材料。本申请通过以备选源材料替换升华后的目标源材料，可以生长得到大尺寸、高质量的晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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