[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202080004960.9 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115398653A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐志波;张志华;马明彬;李政鸿;林兓兓;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制备方法，包括衬底（10）、第一导电型半导体层（20）、应力释放层（30）、发光层（40）、第二导电型半导体层（50），其中的应力释放层包括交替层叠的阱层（31）和垒层（32），至少一个阱层内部分布有至少一个阻挡区（311），阻挡区的能隙高于阱层的能隙。在阱层内部设置阻挡区，阻挡区可以阻挡阱层内的载流子横向扩展至位错区域发生非辐射复合，从而提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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