[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 202080005360.4 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112752871B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 小幡智幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B15/00;H01L21/322;H01L21/324;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/12;H01L29/739;H01L21/336;H01L29/861;H01L29/868;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，所述半导体装置具备含氧的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氧浓度分布在相对于半导体基板的深度方向上的中央靠近上表面的一侧具有氧浓度比半导体基板的下表面的氧浓度高的高氧浓度部。高氧浓度部可以在氧浓度分布中具有浓度峰。半导体基板的深度方向上的晶体缺陷的密度分布可以在半导体基板的上表面侧具有上表面侧密度峰，上表面侧密度峰可以配置于氧浓度为浓度峰的峰值的50％以上的深度范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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