[发明专利]用于III族氮化物半导体的具有不连续铝含量的外延层有效
| 申请号： | 202080006330.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113169222B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 吴芃逸 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底(10)；III族氮化物过渡层堆叠(11)，其安置于所述衬底(10)上，所述III族氮化物过渡层堆叠(11)维持与所述衬底(10)的外延关系；第一III族氮化物层(121)，其安置于所述III族氮化物过渡层堆叠(11)上；和第二III族氮化物层(122)，其安置于所述第一III族氮化物层(121)上，所述第二III族氮化物层(122)具有大于所述第一III族氮化物层(121)的带隙能量的带隙能量，其中所述III族氮化物过渡层堆叠(11)包括第一过渡层(111)、所述第一过渡层(111)上的第二过渡层(112)以及所述第二过渡层(112)上的第三过渡层(113)，且其中所述第二过渡层(112)在所述第一过渡层(111)、第二过渡层(112)和第三过渡层(113)当中具有最小铝摩尔比。本发明还涉及形成此类半导体器件的方法。根据本发明的所述半导体器件有利地在所述第一III族氮化物层(121)中具有小于或等于1×10 |
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| 搜索关键词： | 用于 iii 氮化物 半导体 具有 连续 含量 外延 | ||
【主权项】：
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