[发明专利]多层级相变存储器单元及其制造方法在审
| 申请号： | 202080006691.X | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113169272A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | R·鲁伊斯;万雷;J·里德;白肇强;M·阿波达卡 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器单元，该相变存储器单元包括：第一电极；第二电极，该第二电极位于该第一电极上方；竖直柱结构，该竖直柱结构位于该第一电极和该第二电极之间，该柱结构包含第一相变存储器(PCM)材料部分、第二PCM材料部分和位于该第一PCM材料部分与该第二PCM材料部分之间的中间电极；以及电阻衬垫，该电阻衬垫包含第一区段和第二区段，该第一区段并联地电连接到该第一电极与该中间电极之间的该第一PCM材料部分，该第二区段并联地电连接到该中间电极与该第二电极之间的该第二PCM材料部分。该第一PCM材料部分具有与该第二PCM材料部分不同的电阻，并且该电阻衬垫的该第一区段具有与该电阻衬垫的该第二区段不同的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 相变 存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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