[发明专利]具有不同RA TMR膜的磁传感器阵列在审
| 申请号： | 202080006966.X | 申请日： | 2020-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113196075A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 郑元凯;C·凯撒;刁治涛;胡志清;钱震中;王勇鸿;万渡江;周荣辉;毛明;姜明;D·毛里 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥阵列。每个电阻器包括多个TMR结构。两个电阻器具有相同的TMR结构。其余两个电阻器也具有相同的TMR结构，但该TMR结构不同于其他两个电阻器。另外，与具有相同TMR结构的其余两个电阻器相比，具有相同TMR结构的该两个电阻器具有不同电阻面积。因此，该惠斯通电桥阵列的工作偏置场非零。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 ra tmr 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西部数据技术公司，未经西部数据技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080006966.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
