[发明专利]使用自由层交换钉扎的大场范围TMR传感器在审
| 申请号： | 202080006973.X | 申请日： | 2020-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113196077A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | D·毛里;郑元凯;王磊;C·凯撒 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造处于惠斯通配置的基于TMR的磁传感器的方法，该方法包括进行磁隧道结(MTJ)的第一退火以及进行MTJ的第二退火。MTJ包括第一反铁磁(AFM)钉扎层、在该第一AFM钉扎层上方的钉扎层、在该钉扎层上方的反并联耦合层、在该反并联耦合层上方的参考层、在该参考层上方的势垒层、在该势垒层上方的自由层以及在该自由层上方的第二反铁磁钉扎层。MTJ的第一退火将第一AFM钉扎层、钉扎层、自由层和第二AFM钉扎层设置在第一磁化方向上。MTJ的第二退火将自由层和第二AFM钉扎层重置在第二磁化方向上。基于TMR的磁性传感器的操作场范围超过±100Oe。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 自由 交换 范围 tmr 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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