[发明专利]双自由层TMR磁场传感器在审
| 申请号： | 202080007003.1 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN113196078A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 胡志清;王勇鸿;郑元凯;钱震荣;毛明;D·毛里;姜明 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开整体涉及惠斯通电桥，该惠斯通电桥包括多个电阻器，该多个电阻器包括双自由层(DFL)TMR结构。该DFL TMR结构包括位于DLF侧的一个或多个硬偏置结构。另外，DFL的一侧上也可存在一个或多个软偏置结构。两个电阻器将具有相同的硬偏置材料，而另外两个电阻器将具有彼此相同但与前两个电阻器相比不同的硬偏置材料。硬偏置材料将提供反向磁化，这将提供反向偏置场，从而形成DFL TMR的两种不同的磁阻响应。 | ||
| 搜索关键词： | 自由 tmr 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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