[发明专利]包括集成栅极选择器的三维铁电存储器阵列及其形成方法在审
| 申请号： | 202080007004.6 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113196484A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张艳丽;J·阿尔斯迈耶 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11585 | 分类号： | H01L27/11585;H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电场效应晶体管(FeFET)，该FeFET包括：半导体沟道；源极区，该源极区接触该半导体沟道的一个端部；漏极区，该漏极区接触该半导体沟道的第二端部；栅极电极；铁电栅极介电层，该铁电栅极介电层位于该半导体沟道和该栅极电极之间；和双向选择器材料层，该双向选择器材料层位于该栅极电极和该铁电栅极介电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 集成 栅极 选择器 三维 存储器 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
